Sfoglia per Rivista IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Mostrati risultati da 1 a 3 di 3
High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes
2015-01-01 Rao, S.; Pangallo, G.; Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.
Highly Linear Temperature Sensor Based on 4H-Silicon Carbide p-i-n Diodes
2015-01-01 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Study of the Thermomechanical Strain Induced by Current Pulses in SiC-Based Power MOSFET
2021-01-01 Anoldo, L.; Triolo, C.; Panarello, S.; Garesci, F.; Russo, S.; Messina, A. A.; Calabretta, M.; Patane, S.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes | 1-gen-2015 | Rao, S.; Pangallo, G.; Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G. | |
Highly Linear Temperature Sensor Based on 4H-Silicon Carbide p-i-n Diodes | 1-gen-2015 | Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe | |
Study of the Thermomechanical Strain Induced by Current Pulses in SiC-Based Power MOSFET | 1-gen-2021 | Anoldo, L.; Triolo, C.; Panarello, S.; Garesci, F.; Russo, S.; Messina, A. A.; Calabretta, M.; Patane, S. |
Mostrati risultati da 1 a 3 di 3
Legenda icone
- file ad accesso aperto
- file disponibili sulla rete interna
- file disponibili agli utenti autorizzati
- file disponibili solo agli amministratori
- file sotto embargo
- nessun file disponibile