Dispositivo a semiconduttori e principio di funzionamento per la generazione di emissione luminosa

Dispositivo a semiconduttori e principio di funzionamento per la generazione di emissione luminosa per mezzo della ricombinazione radiativa di portatori di carica di tipo opposto. Il dispositivo è formato da un corpo e tre regioni di materiali semiconduttori con bandgap opportuna e drogate in maniera differente che opera analogamente ad un transistore ad emissione di luce, pur presentando una struttura di nuovo tipo. Il nuovo principio di funzionamento consiste nel polarizzare opportunamente il dispositivo, portandolo a lavorare in saturazione diretta. In saturazione diretta, la corrente che fluisce nel nuovo dispositivo genera per ricombinazione lacune-elettroni una emissione luminosa di uguale intensità rispetto a quella di un LED di pari caratteristiche geometriche e fisiche, ma fornendo al dispositivo una potenza significativamente minore di quella che è necessario fornire al LED.