Numerical Simulations of Al implanted 4H-SiC Diodes and Modeling an Explicit Carrier Trap Effect Due to the Non-substitutional Doping Concentration / F., Pezzimenti; F. G., DELLA CORTE; R., Nipoti; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe. - (2009), pp. 210-213. (Intervento presentato al convegno 2009 IEEE BIPOLAR / BiCMOS CIRCUITS AND TECHNOLOGY MEETING tenutosi a Capri nel OCTOBER 13 – 14, 2009) [10.1109/BIPOL.2009.5314142].
Numerical Simulations of Al implanted 4H-SiC Diodes and Modeling an Explicit Carrier Trap Effect Due to the Non-substitutional Doping Concentration
DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
2009-01-01
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