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EnglishNumerical Simulations of Al implanted 4H-SiC Diodes and Modeling an Explicit Carrier Trap Effect Due to the Non-substitutional Doping Concentration / F., Pezzimenti; F. G., Della Corte; R., Nipoti; Della Corte, Francesco Giuseppe. - (2009), pp. 210-213. ((Intervento presentato al convegno 2009 IEEE BIPOLAR / BiCMOS CIRCUITS AND TECHNOLOGY MEETING tenutosi a Capri nel OCTOBER 13 – 14, 2009 [10.1109/BIPOL.2009.5314142].
| Titolo: | Numerical Simulations of Al implanted 4H-SiC Diodes and Modeling an Explicit Carrier Trap Effect Due to the Non-substitutional Doping Concentration | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2009 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12318/16857 | |
| ISBN: | 9781424448968 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/20.500.12318/16857
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