Analytical Model for the Forward Current in Al-Implanted 4H-SiC p-i-n Diodes Over a Wide Range of Temperatures / F., P., L. F., A., S., B., F. G., D.C., DELLA CORTE, F.G.. - (2009), pp. 214-217. (2009 IEEE BIPOLAR / BiCMOS CIRCUITS AND TECHNOLOGY MEETING Capri OCTOBER 13 – 14, 2009) [10.1109/BIPOL.2009.5314147].
Analytical Model for the Forward Current in Al-Implanted 4H-SiC p-i-n Diodes Over a Wide Range of Temperatures
DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
2009-01-01
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