Raman and electrical characterization of boron-doped homoepitaxial diamond used for the realization of diamond based mult-ilayered Schottky diode detectors / Faggio, G.; Messina, Giacomo; Prestopino, G.; Marinelli, M.; Santangelo, Saveria. - (2012). (Intervento presentato al convegno “ICDCM”, International Conference on Diamond and Carbon Materials tenutosi a Granada (E) nel 2–6 September 2012).

Raman and electrical characterization of boron-doped homoepitaxial diamond used for the realization of diamond based mult-ilayered Schottky diode detectors

G. Faggio;MESSINA, Giacomo;SANTANGELO, Saveria
2012-01-01

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12318/19067
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