Il grafene è un singolo strato di atomi di carbonio disposti secondo una struttura esagonale. La scoperta del grafene [1] ha dato inizio ad una intensa attività di ricerca sia per lo studio delle sue proprietà fondamentali che per il suo potenziale impiego in una ampia varietà di campi. Tra i diversi metodi sviluppati per produrre grafene, la Deposizione Chimica da fase Vapore (CVD) è il più promettente in vista delle applicazioni in dispositivi, poiché permette di ottenere film continui di grafene di grande area e trasferibili su substrati [2]. Le applicazioni elettroniche più avanzate richiedono film con una bassa densità di difetti. Ciò richiede un'accurata ottimizzazione dei parametri di crescita. In questo contesto, la spettroscopia Raman è una tecnica non distruttiva che è stata ampiamente utilizzata per valutare sia la qualità dei film di grafene che il numero di strati di cui esso è composto [3, 4]. In questo lavoro, saranno studiati film di grafene cresciuti con la tecnica CVD su sottili fogli di rame. I film saranno depositati sotto differenti condizioni di crescita. In particolare sarà analizzato come la qualità del materiale depositato dipenda da alcuni parametri di processo, quali la temperatura (930-1070°C), il tempo di crescita (10-30 min) e il precursore gassoso (Metano, Etanolo, Acetonitrile). Dopo la crescita, i film di grafene saranno trasferiti su opportuni substrati (Si/SiO2 300nm) per analizzarli con la spettroscopia Raman, e la microscopia a scansione elettronica (SEM).
Spettroscopia Raman di film di grafene cresciuto per deposizione chimica da fase vapore su fogli di rame / Faggio, G.; Messina, Giacomo; Giorgi, R.; Lisi, N.; Dikonimos, Th.; Salernitano, E.; Santangelo, Saveria. - (2012). (Intervento presentato al convegno GISR 2012 - II Congresso nazionale di spettroscopie Raman ed effetti ottici non lineari tenutosi a Bologna nel 6/6/2012-8/6/2012).
Spettroscopia Raman di film di grafene cresciuto per deposizione chimica da fase vapore su fogli di rame
G. Faggio;MESSINA, Giacomo;SANTANGELO, Saveria
2012-01-01
Abstract
Il grafene è un singolo strato di atomi di carbonio disposti secondo una struttura esagonale. La scoperta del grafene [1] ha dato inizio ad una intensa attività di ricerca sia per lo studio delle sue proprietà fondamentali che per il suo potenziale impiego in una ampia varietà di campi. Tra i diversi metodi sviluppati per produrre grafene, la Deposizione Chimica da fase Vapore (CVD) è il più promettente in vista delle applicazioni in dispositivi, poiché permette di ottenere film continui di grafene di grande area e trasferibili su substrati [2]. Le applicazioni elettroniche più avanzate richiedono film con una bassa densità di difetti. Ciò richiede un'accurata ottimizzazione dei parametri di crescita. In questo contesto, la spettroscopia Raman è una tecnica non distruttiva che è stata ampiamente utilizzata per valutare sia la qualità dei film di grafene che il numero di strati di cui esso è composto [3, 4]. In questo lavoro, saranno studiati film di grafene cresciuti con la tecnica CVD su sottili fogli di rame. I film saranno depositati sotto differenti condizioni di crescita. In particolare sarà analizzato come la qualità del materiale depositato dipenda da alcuni parametri di processo, quali la temperatura (930-1070°C), il tempo di crescita (10-30 min) e il precursore gassoso (Metano, Etanolo, Acetonitrile). Dopo la crescita, i film di grafene saranno trasferiti su opportuni substrati (Si/SiO2 300nm) per analizzarli con la spettroscopia Raman, e la microscopia a scansione elettronica (SEM).I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
