Impact of a non-uniform p-base doping concentration on the electrical characteristics of a low power MOSFET in 4H-SiC / Bencherif, H.; Dehimi, L.; Pezzimenti, F.; Yousfi, A.; De Martino, G.; Della Corte, F. G.. - (2019). (Intervento presentato al convegno 2019 International Conference on Advanced Electrical Engineering, ICAEE 2019) [10.1109/ICAEE47123.2019.9014701].
Impact of a non-uniform p-base doping concentration on the electrical characteristics of a low power MOSFET in 4H-SiC
F. PEZZIMENTI;G. De Martino;F. G. Della Corte
2019-01-01
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