Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications / Pezzimenti, F.; Bellone, S.; Della Corte, F. G.; Nipoti, R.. - (2012). (Intervento presentato al convegno The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM12) tenutosi a Saint-Petersburg, Russia nel September 2-6, 2012).
Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications
F. PEZZIMENTI
;F. G. Della Corte;
2012-01-01
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