Study of a novel low breakdown voltage 4H-SiC MOSFET for PV module-level applications / De Martino, G.; Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.. - (2018). (Intervento presentato al convegno SIE 2018 tenutosi a Napoli, Italy nel June 20-22).

Study of a novel low breakdown voltage 4H-SiC MOSFET for PV module-level applications

G. De Martino;F. PEZZIMENTI
;
F. G. Della Corte
2018-01-01

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12318/15841
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