Analytical model for the forward current of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes in a wide range of temperatures / Pezzimenti, F.; Freda Albanese, L.; Bellone, S.; Della Corte, F. G.. - (2009), pp. 214-217.

Analytical model for the forward current of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes in a wide range of temperatures

F. PEZZIMENTI
;
F. G. Della Corte
2009-01-01

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12318/16814
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