Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration

F. PEZZIMENTI
;
F. G. Della Corte;
2009

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/20.500.12318/16858
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 2
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact