Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration / Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.; Nipoti, R.. - (2009), pp. 210-213.
Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration
F. PEZZIMENTI
;F. G. Della Corte;
2009-01-01
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