Interface trap effects in the design of a 4H-SiC MOSFET for low voltage applications / De Martino, G.; Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.. - (2018), pp. 147-150. (Intervento presentato al convegno 41st edition of the International Semiconductor Conference - CAS 2018).

Interface trap effects in the design of a 4H-SiC MOSFET for low voltage applications

G. De Martino;F. PEZZIMENTI;F. G. Della Corte
2018-01-01

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12318/17495
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