An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency / Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.. - (2001). (Intervento presentato al convegno 19th Internat. Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors tenutosi a Nice (F)).

An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency

F. G. Della Corte;F. PEZZIMENTI
2001-01-01

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12318/19797
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