An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency / Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.. - (2001). (Intervento presentato al convegno 19th Internat. Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors tenutosi a Nice (F)).
An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency
F. G. Della Corte;F. PEZZIMENTI
2001-01-01
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