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Traditional 2.41 eV Raman diagnostics of a-C based coatings: a qualitative indicator of strains affecting graphitic phases
2003-01-01 DE RENZI, V.; Messina, G.; Santangelo, Saveria
Un approccio fisico al problema dell' approssimazione delle leggi dello scattering di elettroni
1996-01-01 Messina, G.; Paoletti, A.; Santangelo, Saveria; Tucciarone, A.
Una legge di scala per lo scattering di elettroni
1995-01-01 Messina, G.; Paoletti, A.; Santangelo, Saveria; Tucciarone, A.
Wetting dependence of stress in porous silicon: a Raman study
2007-01-01 Ferrara, M. A.; Donato, M. G.; Sirleto, L.; Messina, G.; Santangelo, Saveria; Rendina, I.
X-ray mask making and Monte Carlo analysis of a single-resist layer process on low-Z membrane
1988-01-01 M., Gentili; A., Lucchesini; P., Lugli; Messina, Giacomo; A., Paoletti; A., Tucciarone; G., Petrocco; Santangelo, Saveria
“A scaling law for MWCNT growth by catalytically assisted CVD”
2008-01-01 C., Milone; M., Lanza; A., Pistone; Messina, Giacomo; Santangelo, Saveria
“A single Raman-diagnostics quality indicator enabling the property tailoring of sputter-grown a-CN:H coatings”
2003-01-01 G., Fanchini; Messina, Giacomo; A., Tagliaferro; Santangelo, Saveria
“INVESTIGATION OF WETTING PHENOMENA IN POROUS SILICON BY RAMAN SCATTERING”, POSTER, BOOK OF ABSTRACT PSST 2008, 350-351, MALLORCA (2008)
2008-01-01 Ferrara, M. A.; Sirleto, L.; Donato, M. G.; Messina, Giacomo; Santangelo, S.; Rotiroti, L.; Rendina, I.
“MISURE DI STRAIN IN SILICIO POROSO TRAMITE EFFETTO RAMAN SPONTANEO”,
2006-01-01 P. M. A., Ferrara; L., Sirleto; Messina, Giacomo; M. G., Donato; I., Rendina; PROCEEDINGS OF, Eletroottica
“Monte Carlo evaluation of proximity effect reduction in x-ray reflection masks having diamond substrates”
1993-01-01 Messina, Giacomo; A., Paoletti; A., Tucciarone; Santangelo, Saveria
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
Traditional 2.41 eV Raman diagnostics of a-C based coatings: a qualitative indicator of strains affecting graphitic phases | 1-gen-2003 | DE RENZI, V.; Messina, G.; Santangelo, Saveria | |
Un approccio fisico al problema dell' approssimazione delle leggi dello scattering di elettroni | 1-gen-1996 | Messina, G.; Paoletti, A.; Santangelo, Saveria; Tucciarone, A. | |
Una legge di scala per lo scattering di elettroni | 1-gen-1995 | Messina, G.; Paoletti, A.; Santangelo, Saveria; Tucciarone, A. | |
Wetting dependence of stress in porous silicon: a Raman study | 1-gen-2007 | Ferrara, M. A.; Donato, M. G.; Sirleto, L.; Messina, G.; Santangelo, Saveria; Rendina, I. | |
X-ray mask making and Monte Carlo analysis of a single-resist layer process on low-Z membrane | 1-gen-1988 | M., Gentili; A., Lucchesini; P., Lugli; Messina, Giacomo; A., Paoletti; A., Tucciarone; G., Petrocco; Santangelo, Saveria | |
“A scaling law for MWCNT growth by catalytically assisted CVD” | 1-gen-2008 | C., Milone; M., Lanza; A., Pistone; Messina, Giacomo; Santangelo, Saveria | |
“A single Raman-diagnostics quality indicator enabling the property tailoring of sputter-grown a-CN:H coatings” | 1-gen-2003 | G., Fanchini; Messina, Giacomo; A., Tagliaferro; Santangelo, Saveria | |
“INVESTIGATION OF WETTING PHENOMENA IN POROUS SILICON BY RAMAN SCATTERING”, POSTER, BOOK OF ABSTRACT PSST 2008, 350-351, MALLORCA (2008) | 1-gen-2008 | Ferrara, M. A.; Sirleto, L.; Donato, M. G.; Messina, Giacomo; Santangelo, S.; Rotiroti, L.; Rendina, I. | |
“MISURE DI STRAIN IN SILICIO POROSO TRAMITE EFFETTO RAMAN SPONTANEO”, | 1-gen-2006 | P. M. A., Ferrara; L., Sirleto; Messina, Giacomo; M. G., Donato; I., Rendina; PROCEEDINGS OF, Eletroottica | |
“Monte Carlo evaluation of proximity effect reduction in x-ray reflection masks having diamond substrates” | 1-gen-1993 | Messina, Giacomo; A., Paoletti; A., Tucciarone; Santangelo, Saveria |
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Tipologia
- 4 Contributo in Atti di Convegno ... 85
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Data di pubblicazione
- 2010 - 2014 24
- 2000 - 2009 41
- 1990 - 1999 17
- 1988 - 1989 3
Keyword
- grafene 1
- Graphene 1
Lingua
- eng 69
- ita 10
Accesso al fulltext
- no fulltext 85