CINECA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishIn this paper, a three-layer system for additive patterning on silicon substrates is discussed with reference to the effects of electron beam scattering and in view of 0.2 μm resolution. The results of Monte Carlo simulations are fed into proximity-function and resist development calculations and compared with experimental test patterns. The variables investigated are resist thickness and electron energy.
| Titolo: | Electron scattering effects in additive patterning of XRL masks for 0.2 micron resolution | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1991 | |
| Rivista: | ||
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12318/2553 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| Carcenac_1991_MicroelectronEng_Electron-editor.pdf | Articolo principale | Versione Editoriale (PDF) | Tutti i diritti riservati (All rights reserved) | Administrator Richiedi una copia |
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/20.500.12318/2553
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2021