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Mixed semiconductor materials: Photoelectrochemical behavior of (TiNb)ox at the isoelectric point of the interface / Antonucci, V., Arico', A.S., Antonucci, P., Giordano, N.. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY. - ISSN 0360-3199. - 15:(8)(1980), pp. 557-562.

Mixed semiconductor materials: Photoelectrochemical behavior of (TiNb)ox at the isoelectric point of the interface

ANTONUCCI, Pierluigi;
1980-01-01
1980
Inglese
15
(8)
557
562
6
Esperti anonimi
No
Antonucci, V.; Arico', A. S.; Antonucci, Pierluigi; Giordano, N.
info:eu-repo/semantics/article
1 Contributo su Rivista::1.1 Articolo in rivista
262
Mixed semiconductor materials: Photoelectrochemical behavior of (TiNb)ox at the isoelectric point of the interface / Antonucci, V., Arico', A.S., Antonucci, P., Giordano, N.. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY. - ISSN 0360-3199. - 15:(8)(1980), pp. 557-562.
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none
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