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Ion-implanted normally-off GaAs bipolar-mode FET (BMFET) for application in a wide temperature range / G., C., F. G., D.C., H. L., H., G., S., DELLA CORTE, F.G.. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 11:(1996), pp. 776-782. [10.1088/0268-1242/11/5/021]

Ion-implanted normally-off GaAs bipolar-mode FET (BMFET) for application in a wide temperature range

DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
1996-01-01
1996
Inglese
WOS:A1996UJ83800019
11
776
782
7
2-s2.0-0030143245
Esperti anonimi
No
G., Cocorullo; F. G., DELLA CORTE; H. L., Hartnagel; G., Schweeger; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
info:eu-repo/semantics/article
1 Contributo su Rivista::1.1 Articolo in rivista
262
Ion-implanted normally-off GaAs bipolar-mode FET (BMFET) for application in a wide temperature range / G., C., F. G., D.C., H. L., H., G., S., DELLA CORTE, F.G.. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 11:(1996), pp. 776-782. [10.1088/0268-1242/11/5/021]
5
none
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