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EnglishWetting phenomena in porous silicon layers are experimentally investigated by Raman scattering. The experimental results show a reversible blue-shift of Raman spectra of wetted porous silicon layers with respect to the unperturbed layers. We ascribe the shift to a compressive stress due to the increased lattice mismatch between the porous silicon layer and the bulk silicon substrate in wetting conditions.
| Titolo: | Investigation of porous silicon wetting by Raman scattering |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2008 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12318/5465 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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