Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour / Pezzimenti, F.; DELLA CORTE, F. G.; Nipoti, R.. - In: MICROELECTRONICS JOURNAL. - ISSN 0959-8324. - 39:(2008), pp. 1594-1599. [10.1016/j.mejo.2008.02.005]
Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour
F. PEZZIMENTI;F. G. DELLA CORTE;
2008-01-01
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