Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor / Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.. - In: MICROELECTRONICS JOURNAL. - ISSN 0959-8324. - 35:(2004), pp. 411-415. [10.1016/j.mejo.2004.01.006]

Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor

F. G. Della Corte;F. PEZZIMENTI
2004-01-01

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.12318/460
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