Simulation and experimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes
F. G. DELLA CORTE;F. PEZZIMENTI;
2007-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.