Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency

F. G. DELLA CORTE;F. PEZZIMENTI
2002

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/20.500.12318/967
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