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“2.41 eV Raman analysis for the non-destructive estimation of C content in disordered CN-based materials”
2004-01-01 Fanchini, G; Messina, Giacomo; Tagliaferro, A; Santangelo, Saveria
“A new electron scattering model for x-ray lithography applications”
1993-01-01 Santangelo, Saveria; A., Tucciarone; Messina, Giacomo
“A scaling law for MWCNT growth by catalytically assisted CVD”
2008-01-01 C., Milone; M., Lanza; A., Pistone; Messina, Giacomo; Santangelo, Saveria
“A single Raman-diagnostics quality indicator enabling the property tailoring of sputter-grown a-CN:H coatings”
2003-01-01 G., Fanchini; Messina, Giacomo; A., Tagliaferro; Santangelo, Saveria
“Diamond based devices for UV photon detection”
2000-01-01 Bonanno, G.; Dibenedetto, R.; Scuderi, S.; Chiuderi, C.; Pace, E.; Marinelli, M.; Milani, E.; Paoletti, A.; Tucciarone, A.; VERONA RINATI, G.; Messina, G.; Santangelo, Saveria
“Electron scattering of diamond substrates in microsystems”
1996-01-01 Messina, G.; Paoletti, A.; Santangelo, Saveria; Tucciarone, A.
“Electronic transport properties of NiPS3”
1988-01-01 V., Grasso; F., Neri; Santangelo, Saveria; L., Silipigni; M., Piacentini
“Evaluation of electron scattering in high-resolution x-ray mask fabrication”
1993-01-01 A., Paoletti; Santangelo, Saveria; A., Tucciarone; Messina, Giacomo
“Experimental test of high-resolution process modelling in electron-beam lithography at 25 to 50 keV”
1993-01-01 A., Paoletti; Santangelo, Saveria; A., Tucciarone; Messina, Giacomo
“INVESTIGATION OF WETTING PHENOMENA IN POROUS SILICON BY RAMAN SCATTERING”, POSTER, BOOK OF ABSTRACT PSST 2008, 350-351, MALLORCA (2008)
2008-01-01 Ferrara, M. A.; Sirleto, L.; Donato, M. G.; Messina, Giacomo; Santangelo, S.; Rotiroti, L.; Rendina, I.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
“2.41 eV Raman analysis for the non-destructive estimation of C content in disordered CN-based materials” | 1-gen-2004 | Fanchini, G; Messina, Giacomo; Tagliaferro, A; Santangelo, Saveria | |
“A new electron scattering model for x-ray lithography applications” | 1-gen-1993 | Santangelo, Saveria; A., Tucciarone; Messina, Giacomo | |
“A scaling law for MWCNT growth by catalytically assisted CVD” | 1-gen-2008 | C., Milone; M., Lanza; A., Pistone; Messina, Giacomo; Santangelo, Saveria | |
“A single Raman-diagnostics quality indicator enabling the property tailoring of sputter-grown a-CN:H coatings” | 1-gen-2003 | G., Fanchini; Messina, Giacomo; A., Tagliaferro; Santangelo, Saveria | |
“Diamond based devices for UV photon detection” | 1-gen-2000 | Bonanno, G.; Dibenedetto, R.; Scuderi, S.; Chiuderi, C.; Pace, E.; Marinelli, M.; Milani, E.; Paoletti, A.; Tucciarone, A.; VERONA RINATI, G.; Messina, G.; Santangelo, Saveria | |
“Electron scattering of diamond substrates in microsystems” | 1-gen-1996 | Messina, G.; Paoletti, A.; Santangelo, Saveria; Tucciarone, A. | |
“Electronic transport properties of NiPS3” | 1-gen-1988 | V., Grasso; F., Neri; Santangelo, Saveria; L., Silipigni; M., Piacentini | |
“Evaluation of electron scattering in high-resolution x-ray mask fabrication” | 1-gen-1993 | A., Paoletti; Santangelo, Saveria; A., Tucciarone; Messina, Giacomo | |
“Experimental test of high-resolution process modelling in electron-beam lithography at 25 to 50 keV” | 1-gen-1993 | A., Paoletti; Santangelo, Saveria; A., Tucciarone; Messina, Giacomo | |
“INVESTIGATION OF WETTING PHENOMENA IN POROUS SILICON BY RAMAN SCATTERING”, POSTER, BOOK OF ABSTRACT PSST 2008, 350-351, MALLORCA (2008) | 1-gen-2008 | Ferrara, M. A.; Sirleto, L.; Donato, M. G.; Messina, Giacomo; Santangelo, S.; Rotiroti, L.; Rendina, I. |
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