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An a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency 1-gen-2001 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Simulation study of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high frequency characteristics 1-gen-2002 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Design of an a-Si:H(n)/GaAs(p)/GaAs(n) high-gain heterojunction bipolar transistor with 10 GHz cut-off frequency 1-gen-2002 DELLA CORTE, F. G.; Pezzimenti, F.
Design and simulation of an a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor 1-gen-2002 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Study of the DC characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors with an a-Si:H emitter 1-gen-2003 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Design considerations for a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistors 1-gen-2003 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Design of a-Si:H/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with improved DC and AC characteristics 1-gen-2003 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Design and simulation of an a-Si:H/GaAs HBT with improved DC and high frequency characteristics 1-gen-2003 Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.
Simulation analysis of the DC current gain in an n-p-n a-Si:H/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor 1-gen-2004 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.
Fast and energy-efficient Manchester carry-bypass adders 1-gen-2004 Perri, S.; Corsonello, P.; Pezzimenti, F.; Kantabutra, V.
Simulation study and design considerations for an 4H-SiC aluminium implanted p-i-n diode 1-gen-2006 Della Corte, F.; Pezzimenti, F.; Nipoti, R.
Simulation and experimental results on the forward J-V characteristic of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes 1-gen-2007 DELLA CORTE, F. G.; Pezzimenti, F.; Nipoti, R.
Experimental characterization and numerical analysis of the 4H-SiC p-i-n diodes static and transient behaviour 1-gen-2008 Pezzimenti, F.; DELLA CORTE, F. G.; Nipoti, R.
A microchip integrated temperature sensor with RF communication channel and on-chip antenna 1-gen-2009 DELLA CORTE, F. G.; Aquilino, F.; Fragomeni, L.; Merenda, M.; Pezzimenti, F.; Zito, F.
Numerical simulations of Al implanted 4H-SiC diodes modeling an explicit carrier trap effect due to the non-substitutional Al doping concentration 1-gen-2009 Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.; Nipoti, R.
Analytical model for the forward current of Al implanted 4H-SiC p-i-n diodes in a wide range of temperatures 1-gen-2009 Pezzimenti, F.; Freda Albanese, L.; Bellone, S.; Della Corte, F. G.
Design and modeling of a novel 4H-SiC normally-off BMFET transistor for power applications 1-gen-2010 Pezzimenti, F.; Della Corte, F.
Simulation analysis of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics 1-gen-2010 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.; Bellone, S.; Nipoti, R.
Numerical simulations of a 4H-SiC BMFET power transistor with normally-off characteristics 1-gen-2011 Della Corte, F. G.; Pezzimenti, F.; Bellone, S.; Nipoti, R.
Investigation of 4H-SiC Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET) as high power transistor 1-gen-2011 Bellone, S.; Della Corte, F. G.; Di Benedetto, L.; Licciardo, G. D.; Pezzimenti, F.
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