PANGALLO, Giovanni

PANGALLO, Giovanni  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
4H-SiC p-i-n diode as highly linear temperature sensor 1-gen-2016 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
4H-Sic schottky and p-i-n diode as high performance temperature sensors 3-lug-2017 Pangallo, Giovanni
85-440 K Temperature Sensor Based on a 4H-SiC Schottky Diode 1-gen-2016 Rao, S.; Di Benedetto, L.; Pangallo, G.; Rubino, A.; Bellone, S.; Della Corte, F.
A Direct Junction Temperature Measurement Technique for Power LEDs 1-gen-2018 Pangallo, Giovanni; Carotenuto, Riccardo; Demetrio, Iero; Elisa, Mallemace; Merenda, Massimo; Rao, Sandro; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Divanadium Pentoxide/4H-silicon Carbide: A Schottky Contact for Highly Linear Temperature Sensors 1-gen-2016 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; Di Benedetto, Luigi; Rubino, Alfredo; Licciardo, Giandomenico; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Electro-Optical Modulation in a 4H-SiC Slab Induced by Carrier Depletion in a Schottky Diode 1-gen-2018 Della Corte, F.; Giglio, I.; Pangallo, G.; Rao, Sandro
High perfomance integrated temperature sensor based on amorphous silicon diode for photonics on CMOS 1-gen-2016 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes 1-gen-2015 Rao, S.; Pangallo, G.; Pezzimenti, F.; Della Corte, F. G.
Highly Linear Temperature Sensor Based on 4H-Silicon Carbide p-i-n Diodes 1-gen-2015 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Integrated amorphous silicon p-i-n temperature sensor for CMOS photonics 1-gen-2016 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Power MOSFET Intrinsic Diode as a Highly Linear Junction Temperature Sensor 1-gen-2019 Pangallo, Giovanni; Rao, Sandro; Adinolfi, Giovanna; Graditi, Giorgio; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Sistema e metodo per la misura della temperatura di una giunzione a stato solido 1-gen-2018 Carotenuto, Riccardo; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe; Iero, Demetrio; Merenda, Massimo; Pangallo, Giovanni; Rao, Sandro
Temperature Sensing Characteristics and Long Term Stability of Power LEDs Used for Voltage vs. Junction Temperature Measurements and Related Procedure 1-gen-2020 Della Corte, Francesco G.; Pangallo, Giovanni; Carotenuto, Riccardo; Demetrio, Iero; Giuseppe, Marra; Merenda, Massimo; Rao, Sandro
Temperature sensor based on 4H-SiC diodes for hostile environments 1-gen-2015 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe; Roberta, Nipoti
Use of 4H-SiC-based Diodes as Temperature Sensors 1-gen-2019 Della Corte, F. G.; Pangallo, G.; Rao, S.; Carotenuto, R; Demetrio, Iero; Merenda, M.; Pezzimenti, F.
V2O5/ 4H-SiC Schottky Diode Temperature Sensor: Experiments and Model 1-gen-2018 Di Benedetto, L.; Licciardo, G. D.; Rao, S.; Pangallo, G.; Della Corte, F.; Rubino, A.
V2O5/4H-SiC Schottky diode as a high performance PTAT sensor 1-gen-2016 Pangallo, G.; Rao, S.; Della Corte, F. G.; Benedetto, Di; Rubino, A.
A V2O5/4H-SiC Schottky diode-based PTAT sensor operating in a wide range of bias currents 1-gen-2018 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; Di Benedetto, Luigi; Rubino, Alfredo; Domenico Licciardo, Gian; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe
Voltage doubler rectifier based on 4H-SiC diodes for high-temperatures energy harvesting applications 1-gen-2015 Rao, Sandro; Pangallo, Giovanni; DELLA CORTE, Francesco Giuseppe; Roberta, Nipoti